Un dispositif de mémoire flexible bidimensionnel (2D) à base de nanomatériaux est un élément essentiel du marché des vêtements portables de nouvelle génération, car il joue un rôle crucial dans le stockage, le traitement et la communication des données. Un dispositif de mémoire ultra-mince matérialisé avec un nanomatériau 2D de plusieurs nanomètres (nm) permet d'augmenter significativement la densité mémoire, conduisant au développement d'une mémoire flexible à résistance variable avec la mise en œuvre d'un nanomatériau 2D. Cependant, les mémoires utilisant des nanomatériaux 2D conventionnels présentent des limites en raison des faibles caractéristiques de piégeage des porteurs des nanomatériaux.

À l'Institut des matériaux composites avancés, Institut coréen des sciences et technologies (KIST, président Yoon, Seok-Jin), une équipe de recherche dirigée par le Dr Dong-Ick Son a annoncé le développement d'un dispositif de mémoire transparent et flexible basé sur un système hétérogène nanostructure ultra-mince de faible dimension. À cette fin, des points quantiques monocouches de dimension zéro (0D) ont été formés et pris en sandwich entre deux structures de nanomatériaux ultra-minces isolantes en nitrure de bore hexagonal (h-BN).

L'équipe de recherche a matérialisé un dispositif qui pourrait devenir un candidat mémoire de nouvelle génération en introduisant des points quantiques 0D avec d'excellentes propriétés de limitation quantique dans la couche active, contrôlant les porteurs dans un nanomatériau 2D. Sur cette base, des points quantiques 0D ont été façonnés dans une structure composite empilée verticalement qui a été prise en sandwich entre des nanomatériaux h-BN hexagonaux 2D pour produire un dispositif transparent et flexible. Par conséquent, l'appareil développé conserve une transparence supérieure à 80 % et une fonction de mémoire même lorsqu'il est plié.

Le Dr Dong-Ick Son a déclaré :« Au lieu du graphène conducteur, en présentant une technologie de contrôle d'empilement de points quantiques sur un h-BN hexagonal isolant, nous avons établi les bases de la recherche sur la structure nanocomposite ultra-mince et révélé de manière significative le principe de fabrication et de conduite. des périphériques de mémoire de nouvelle génération. » Il a ensuite ajouté :"Nous prévoyons de systématiser à l'avenir la technologie de contrôle de la pile pour la composition de nanomatériaux hétérogènes de faible dimension et d'élargir le champ de son application."

La recherche a été publiée dans Composites Part B :Engineering . + Explorer plus loin

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