Cependant, les transistors sont caractérisés par plusieurs paramètres, chacun avec sa propre unité:
* Gain de courant (β ou HFE): Il s'agit d'un rapport sans dimension, représentant le facteur d'amplification du transistor. C'est le rapport du courant de collecteur / du courant de base.
* transconductance (GM): Mesuré en siemens (s) ou mho (℧) . Cela représente le changement de courant de sortie pour un changement de tension d'entrée.
* Résistance à la sortie (RO): Mesuré en ohms (ω) . Il représente la résistance du circuit de sortie.
* Résistance à l'entrée (RI): Mesuré en ohms (ω) . Il représente la résistance du circuit d'entrée.
* dissipation de puissance: Mesuré en watts (w) . Cela indique la puissance maximale que le transistor peut gérer sans surchauffe.
* tension: Mesuré en volts (v) . Cela fait référence à la tension à travers différentes parties du transistor, comme les jonctions de base-émetteur ou de collecteur-émetteur.
* Fréquence: Mesuré dans hertz (Hz) . Cela indique la fréquence à laquelle le transistor peut fonctionner efficacement.
Ainsi, bien qu'il n'y ait pas de «l'unité de transistor», la compréhension des unités de ces paramètres est cruciale pour caractériser et analyser le comportement du transistor.
