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    Une étude de modélisation historique révèle le fonctionnement de la mémoire informatique ferroélectrique

    Une nouvelle étude de modélisation a révélé le fonctionnement de la mémoire informatique ferroélectrique. L'étude, publiée dans la revue Nature Materials, apporte de nouvelles informations sur la physique fondamentale des matériaux ferroélectriques et pourrait conduire au développement de nouveaux dispositifs de mémoire informatique plus efficaces.

    Les matériaux ferroélectriques sont des matériaux qui présentent une polarisation électrique spontanée. Cela signifie qu’ils ont un moment dipolaire électrique permanent, même en l’absence de champ électrique externe. Cette propriété rend les matériaux ferroélectriques idéaux pour une utilisation dans les dispositifs de mémoire informatique, car ils leur permettent de stocker des informations sous forme de charges électriques.

    La nouvelle étude fournit une compréhension détaillée des mécanismes microscopiques qui donnent naissance à la ferroélectricité dans les matériaux. L'étude a été menée par une équipe de chercheurs de l'Université de Californie à Berkeley, dirigée par le professeur Ramamoorthy Ramesh.

    Les chercheurs ont utilisé une combinaison de modélisation théorique et de mesures expérimentales pour étudier les propriétés des matériaux ferroélectriques. Ils ont découvert que les propriétés ferroélectriques de ces matériaux sont déterminées par les interactions entre les dipôles électriques des atomes qui composent le matériau.

    Les chercheurs ont également découvert que les propriétés ferroélectriques des matériaux peuvent être contrôlées en appliquant un champ électrique externe. Cette découverte pourrait conduire au développement de nouveaux dispositifs de mémoire informatique plus efficaces utilisant des matériaux ferroélectriques.

    La nouvelle étude constitue une avancée significative dans la compréhension des matériaux ferroélectriques. Les résultats pourraient conduire au développement de nouveaux dispositifs de mémoire informatique plus efficaces, ainsi que d’autres dispositifs électroniques utilisant des matériaux ferroélectriques.

    Matériaux ferroélectriques

    Les matériaux ferroélectriques sont une classe de matériaux qui présentent une polarisation électrique spontanée. Cela signifie qu’ils ont un moment dipolaire électrique permanent, même en l’absence de champ électrique externe. Cette propriété rend les matériaux ferroélectriques idéaux pour une utilisation dans les dispositifs de mémoire informatique, car ils leur permettent de stocker des informations sous forme de charges électriques.

    La polarisation électrique spontanée des matériaux ferroélectriques est provoquée par l'alignement des dipôles électriques des atomes qui composent le matériau. En l’absence de champ électrique externe, ces dipôles sont orientés de manière aléatoire et le matériau n’a pas de polarisation électrique nette. Cependant, lorsqu’un champ électrique externe est appliqué, les dipôles s’alignent dans la direction du champ et le matériau se polarise.

    La polarisation des matériaux ferroélectriques peut être inversée en appliquant un champ électrique externe dans la direction opposée. Cette propriété est connue sous le nom d’hystérésis et c’est ce qui permet d’utiliser des matériaux ferroélectriques dans les dispositifs de mémoire informatique.

    Mémoire de l'ordinateur

    La mémoire de l'ordinateur est utilisée pour stocker des informations sous forme de charges électriques. Le type de mémoire informatique le plus courant est la mémoire vive dynamique (DRAM), qui utilise des condensateurs pour stocker les charges. Cependant, la DRAM est relativement lente et gourmande en énergie. La mémoire ferroélectrique est un type de mémoire non volatile qui utilise des matériaux ferroélectriques pour stocker des charges. La mémoire ferroélectrique est plus rapide et plus économe en énergie que la DRAM, mais elle est également plus coûteuse.

    La nouvelle étude pourrait conduire au développement de nouveaux dispositifs de mémoire ferroélectriques plus efficaces et dont le prix est comparable à celui de la DRAM. Cela pourrait conduire à une amélioration significative des performances des ordinateurs et autres appareils électroniques.

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