Mobilité accrue : Le germanium a une mobilité de porteur plus élevée que le silicium, ce qui signifie que les porteurs de charge (électrons ou trous) peuvent se déplacer plus librement à travers le matériau. Il en résulte une tension Hall plus élevée, ce qui rend la mesure de l'effet Hall plus précise.

Concentration de porteurs plus faible : Le germanium a une concentration intrinsèque de porteurs inférieure à celle du silicium, ce qui signifie qu'il y a moins de porteurs de charge libres dans le matériau à température ambiante. Cela réduit le bruit de fond dans la mesure de l'effet Hall, facilitant ainsi la détection du signal d'intérêt.

Facilité de traitement : Le germanium est plus facile à traiter que le silicium, ce qui le rend plus adapté à la fabrication des échantillons minces nécessaires aux expériences à effet Hall. Le germanium peut être facilement clivé pour produire des surfaces de haute qualité, et il peut être dopé avec des impuretés pour contrôler ses propriétés électriques.

En résumé, la mobilité plus élevée des porteurs, la concentration plus faible des porteurs et la facilité de traitement font du germanium un matériau plus approprié que le silicium pour les expériences à effet Hall.