Réponse photocourante du dispositif de jonction CrI3. (A) Schéma d'un dispositif de jonction CrI3 à quatre couches dans l'état fondamental de l'AFM (↑↓↑↓), avec contacts en graphène supérieur et inférieur et encapsulation hBN. (B) Courbes I-V d'une jonction CrI3 à quatre couches (D2) dans des conditions sombres (courbe noire) et avec 1 µW d'excitation laser de 1,96 eV (courbe rouge). L'encart est une vue agrandie du photocourant généré à une polarisation nulle Iph et une tension en circuit ouvert Voc. (C) Réflectance différentielle (ΔR/R; points noirs) et photocourant (Iph; carrés bleus) en fonction de l'énergie photonique pour la tricouche (3L) CrI3 à -2 T. Le photocourant est mesuré à partir d'un dispositif de jonction tricouche CrI3 (D1 ) avec une puissance optique de 10 W. (D) Image de microscopie optique du dispositif de jonction 3L CrI3 (D1). Barre d'échelle, 5 µm. (E et F) Cartes spatiales du photocourant et du signal RMCD mesurés à partir du même appareil à 0 T avec une puissance optique de 1 W. Barres d'échelle, 5 µm. Crédit :Avancées scientifiques, 10.1126/sciadv.abg8094
Dans un nouveau rapport maintenant publié le Avancées scientifiques , Tiancheng Song et une équipe de recherche du département de physique, Université de Washington, NOUS., et matériaux et nanoarchitecture au Japon et en Chine, effets photovoltaïques de spin détaillés dans les hétérostructures de van der Waals (vdW) du triiodure de chrome magnétique bidimensionnel (2D) (CrI
Spin effets photovoltaïques
La spintronique vise à réguler le degré de liberté de spin dans les systèmes électroniques afin de faciliter de nouvelles fonctions. La génération et le contrôle des spins peuvent ouvrir de nouvelles opportunités émergentes dans l'électronique de spin pour explorer de nouveaux effets photovoltaïques de spin et des photocourants de spin. Les effets photovoltaïques de spin peuvent être réalisés en utilisant différents mécanismes dans diverses hétérostructures, parmi lesquels les matériaux bidimensionnels tels que les dichalcogénures de métaux de transition sont un système prometteur pour l'optoélectronique de spin. La découverte des aimants 2D van der Waals a fourni aux scientifiques une nouvelle plate-forme pour étudier les effets photovoltaïques de spin basés sur des matériaux atomiquement minces avec un ordre magnétique intrinsèque. Parmi ceux-ci, le triiodure de chrome est intéressant en raison de son antiferromagnétisme en couches (AFM), où les configurations de spin peuvent être régulées par un champ magnétique environnant. Le champ peut faire basculer l'échantillon entre les états fondamentaux de l'AFM et les états entièrement polarisés en spin via une série de transitions flip. La configuration fournit une plate-forme idéale pour mettre en évidence les effets de spin-optoélectronique à la limite atomiquement mince.
Dépendance à l'hélicité du photocourant dans la tricouche CrI3. (A) Photocourant en fonction de l'angle de la lame quart d'onde pour l'état (2 T, points rouges) et l'état ↓↓↓ (−2 T, points noirs) mesurés à partir du dispositif de jonction tricouche CrI3 (D1) avec une puissance optique de 10 W. Les flèches verticales représentent la lumière polarisée linéairement. (B) La variation du photocourant [ΔIph [σ+ − σ−] =Iph(σ+) − Iph(σ−)] en fonction de μ0H mesuré à partir du même appareil avec une puissance optique de 10 μW. Le degré d'hélicité ΔIph [σ+ − σ−]/(Iph(σ+) + Iph(σ−) donné sur l'axe de droite. Les encarts montrent les états magnétiques correspondants et le schéma du dispositif avec une excitation lumineuse polarisée circulairement. (C) RMCD en fonction de μ0H pour le même appareil. Les encarts montrent les états magnétiques correspondants et l'image en microscopie optique de l'appareil (D1). 15 µm. Crédit :Avancées scientifiques, 10.1126/sciadv.abg8094
Les chercheurs ont développé une hétérostructure verticale pour étudier la réponse photocourante de CrI
Dépendance du photocourant à l'ordre magnétique du CrI3 à quatre couches. (A) Photocourant en fonction du champ magnétique externe (μ0H) mesuré à partir du dispositif de jonction CrI3 à quatre couches (4L) (D2) avec une puissance optique de 1 W. La courbe verte (orange) correspond à un champ magnétique décroissant (croissant). (B) RMCD en fonction de μ0H pour le même appareil. Les encarts montrent les états magnétiques correspondants et l'image de microscopie optique du dispositif (D2). (C) Courant tunnel (It) en fonction de μ0H mesuré à partir du même appareil à une polarisation de 80 mV dans l'obscurité. Les médaillons sont des schémas de l'appareil avec excitation laser et dans l'obscurité. (D) Courbes Iph-V pour le CrI3 à quatre couches dans l'état fondamental de l'AFM (↑↓↑↓, 0 T, courbe noire) et l'état complètement polarisé en spin (↑↑↑↑, 2,5T, courbe rouge). (E) Magnitude du rapport photo-magnétocourant en fonction du biais extrait des courbes Iph-V en (D). L'ombrage rouge indique la plage de biais où |MCph| tend vers l'infini. L'encart est une vue agrandie des courbes Iph-V en (D). Crédit :Avancées scientifiques, 10.1126/sciadv.abg8094
Cartographie du photocourant dans CrI3 à quatre couches. (A) Image de microscopie optique du dispositif de jonction CrI3 à quatre couches (D2) (barre d'échelle, 3 µm). (B) et (C) Cartes spatiales du photocourant et du signal RMCD mesurés à partir du même appareil à 2,5 T avec une puissance optique de 1 µW (barre d'échelle, 3 µm). Crédit :Avancées scientifiques, 10.1126/sciadv.abg8094
Dépendance du photocourant sur l'hélicité lumineuse et d'autres effets
Song et al. a montré la dépendance du photocourant sur l'hélicité lumineuse en utilisant un tricouche CrI
Interaction entre l'ordre magnétique et l'hélicité des photons dans l'absorption et le photocourant du 3L CrI3. (A) Spectres ΔR/R dépendant de l'hélicité pour les quatre états magnétiques de 3L CrI3 à des champs magnétiques sélectionnés. Les points rouges (bleus) correspondent à l'hélicité des photons + (σ−). Les médaillons montrent les états magnétiques correspondants et l'image en microscopie optique d'une tricouche CrI3 sur saphir. (B) Photocourant en fonction de l'angle de lame quart d'onde pour l'état (2 T, points rouges) et l'état ↓↓↓ (−2 T, points noirs) mesurés avec trois énergies de photons sélectionnées indiquées par les lignes pointillées en (A). (C) R/R différence d'hélicité [(ΔR/R(σ+) − ΔR/R(σ−), courbe] et la variation superposée du photocourant [ΔIph [σ+ − σ−] =Iph(σ+) − Iph(σ−), carrés] en fonction de l'énergie des photons pour l'état ↑↑↑ (2 T, rouge) et état (−2 T, le noir). Crédit :Avancées scientifiques, 10.1126/sciadv.abg8094
Perspectives
De cette façon, Tiancheng Song et al. ont étudié les effets photovoltaïques de spin dans CrI atomiquement mince
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