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    Des chercheurs proposent une nouvelle méthode de mesure précise du coefficient électro-optique

    Fig.1 (a) configuration expérimentale pour mesurer le coefficient EO linéaire des cristaux K(H1-xDx)2PO4 ; (b) Caractéristiques FHG de différents cristaux de DKDP à teneur en deutérium sur la base du VTPM ; (c) Coefficients EO linéaires des cristaux de K(H1-xDx)2PO4. Crédit :SIOM

    Récemment, des chercheurs de l'Institut d'optique et de mécanique fine de Shanghai (SIOM) de l'Académie chinoise des sciences (CAS) ont proposé une nouvelle méthode de mesure du coefficient électro-optique (EO) basée sur le (2) technologie optique non linéaire pour mesurer les coefficients EO linéaires de KH 2 Bon de commande 4 (KDP) et K(H 1−x ré X ) 2 Bon de commande 4 (DKDP) précisément. Les résultats pertinents ont été publiés dans Optique Express le 18 janvier, 2021.

    Les études et applications actuelles de l'effet EO des cristaux de la famille KDP se concentrent principalement sur le KDP et le DKDP à haute teneur en deutérium. Pour les cristaux de KDP partiellement deutérés, leurs coefficients EO sont rapportés sporadiquement, bien qu'ils aient des applications cruciales dans de nombreux domaines. Pendant ce temps, les méthodes de mesure du coefficient EO existantes sont principalement basées sur l'effet optique linéaire, ce qui oblige le laser à maintenir strictement la stabilité de polarisation dans l'ensemble du système de mesure.

    Dans cette étude, les chercheurs ont présenté une nouvelle méthode utilisant le (2) technologie optique non linéaire. Cette mesure ne dépend que du processus non linéaire dans les matériaux non linéaires, et d'autres processus de transfert ne l'affecteront pas.

    Sur la base de cette méthode, les coefficients EO linéaires d'une série de différents cristaux deutérés de KDP ont été mesurés avec précision, et une formule de conclusion pour déterminer les coefficients EO linéaires des cristaux de DKDP avec différentes teneurs en deutérium a été donnée.

    De plus, la stabilité de l'énergie de sortie de génération de quatrième harmonique (FHG) peut être considérablement améliorée en utilisant les propriétés EO des cristaux, qui fournit des références importantes pour la génération de laser ultraviolet profond et étend l'application des cristaux de la famille KDP dans le domaine de la technologie laser et de l'optique non linéaire.


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