Dépôt physique en phase vapeur (PVD) : Ce processus implique le dépôt physique d'un matériau sur un substrat par évaporation ou pulvérisation. Par exemple, des films métalliques peuvent être déposés par évaporation thermique, où le métal est chauffé jusqu'à ce qu'il se vaporise puis se condense sur le substrat.
Électrodéposition : Ce processus implique le dépôt de matériau sur un substrat par des réactions électrochimiques. Par exemple, le cuivre peut être électrodéposé en immergeant le substrat dans une solution de sulfate de cuivre et en appliquant une tension entre le substrat et une électrode de cuivre.
Épitaxie par jet moléculaire (MBE) : Ce processus implique la croissance de films minces monocristallins par le dépôt séquentiel de couches atomiques individuelles. Par exemple, l'arséniure de gallium (GaAs) peut être cultivé par MBE en déposant alternativement des couches d'atomes de gallium et d'arsenic sur un substrat.
Dépôt de couche atomique (ALD) : Ce processus implique le dépôt séquentiel de couches atomiques individuelles par des impulsions alternées de gaz précurseurs. Par exemple, l'oxyde d'aluminium (Al2O3) peut être déposé par ALD en alternant des impulsions de gaz triméthylaluminium (TMA) et eau (H2O).
