Cette géométrie moléculaire et cet angle de liaison peuvent être compris sur la base de la théorie de la répulsion des paires d'électrons en couche de valence (VSEPR). Dans SiS$_2$, l'atome central de silicium (Si) est lié à deux atomes de soufre (S), chacun par une double liaison. Le silicium possède quatre électrons de valence, dont deux sont impliqués dans des doubles liaisons avec chaque atome de soufre. Cela laisse deux paires d'électrons libres sur l'atome de silicium.
Selon la théorie VSEPR, la disposition des paires d’électrons autour d’un atome central adoptera une géométrie minimisant la répulsion entre elles. Dans le cas de SiS$_2$, les deux doublets libres d'électrons sur l'atome de silicium sont orientés aussi loin que possible l'un de l'autre pour minimiser la répulsion électron-électron. Il en résulte une géométrie moléculaire courbée avec un angle de liaison d'environ 119,5 degrés.
La forme moléculaire angulaire ou en forme de V du disulfure de silicium est influencée par la répulsion entre les deux paires libres d'électrons sur l'atome de silicium et les paires d'électrons de liaison impliquées dans les doubles liaisons avec les atomes de soufre. Cet arrangement conduit à une géométrie de paire d'électrons tétraédrique déformée autour de l'atome de silicium, donnant lieu à une structure moléculaire courbée.
