Les impuretés des donateurs dans le silicium sont des éléments qui ont un électron de valence de plus que le silicium (qui a 4 électrons de valence). Ces électrons supplémentaires sont facilement donnés au réseau de silicium, augmentant le nombre d'électrons libres et faisant le silicium n-type .

Voici quelques impuretés de donneurs courantes dans le silicium:

* phosphore (p): Il s'agit de l'impureté donneuse la plus couramment utilisée. Il a 5 électrons de valence, contribuant un électron supplémentaire au réseau de silicium.

* arsenic (as): Semblable au phosphore, l'arsenic possède également 5 électrons de valence et agit comme une impureté donneuse.

* Antimoine (SB): L'antimoine possède également 5 électrons de valence et est une autre impureté de donneur commune.

Ces éléments sont généralement ajoutés au silicium en très petites quantités (pièces par million ou milliards) pour atteindre la conductivité électrique souhaitée.