Dans une structure MIM, une fine couche de matériau isolant est prise en sandwich entre deux électrodes métalliques. Lorsqu'une tension est appliquée aux électrodes, le champ électrique dans l'isolant peut provoquer la rupture du matériau et former un chemin conducteur entre les électrodes. Ce processus est appelé commutation résistive.
Les caractéristiques de commutation résistive d'une structure MIM dépendent d'un certain nombre de facteurs, notamment les matériaux utilisés, l'épaisseur de la couche isolante et la tension appliquée. Cependant, il a été démontré que les structures MIM présentent d'excellentes propriétés de commutation résistive, ce qui les rend idéales pour une utilisation dans les dispositifs de mémoire résistifs.
Les dispositifs de mémoire résistive sont un type de mémoire non volatile qui utilise l'effet de commutation résistive pour stocker des données. Les dispositifs de mémoire résistive sont des candidats prometteurs pour un certain nombre d'applications, notamment les disques SSD, la mémoire embarquée et l'informatique neuromorphique.
