Des physiciens de l'Université de Lancaster ont démontré que leur invention d'un nouveau type de dispositif de mémoire pourrait transformer la façon dont les ordinateurs, les smartphones et autres gadgets fonctionnent.

La "mémoire universelle" est, en substance, une mémoire où les données sont stockées de manière très robuste, mais peut aussi être facilement modifié; quelque chose qui était largement considéré comme irréalisable – jusqu'à maintenant.

Actuellement, les deux principaux types de mémoire, RAM dynamique (DRAM) et flash, ont des caractéristiques et des rôles complémentaires. La DRAM est rapide, donc utilisé pour la mémoire active (de travail) mais elle est volatile, ce qui signifie que l'information est perdue lorsque l'alimentation est coupée. En effet, La DRAM « oublie » continuellement et doit être constamment actualisée. Flash est non volatile, vous permettant de transporter des données dans votre poche, mais est très lent. Il est bien adapté au stockage de données mais ne peut pas être utilisé pour la mémoire active.

L'article, publié dans l'édition de janvier de la revue Transactions IEEE sur les appareils électroniques , montre comment des cellules de mémoire individuelles peuvent être connectées ensemble en matrices pour former une RAM. Il prédit que de telles puces correspondraient au moins aux performances de vitesse de la DRAM, mais le faire 100 fois plus efficacement, et avec l'avantage supplémentaire de la non-volatilité.

Cette nouvelle RAM non volatile, appelé ULTRARAM, serait une implémentation fonctionnelle de ce qu'on appelle la « mémoire universelle », combinant tous les avantages de la DRAM et du flash, sans aucun des inconvénients.

Professeur Manus Hayne, qui dirige la recherche, a déclaré :« Les travaux publiés dans ce nouvel article représentent une avancée significative, fournissant un plan clair pour la mise en œuvre de la mémoire ULTRARAM."

L'équipe de Lancaster a résolu le paradoxe de la mémoire universelle en exploitant un effet de mécanique quantique appelé tunnel résonant qui permet à une barrière de passer d'opaque à transparente en appliquant une petite tension.

Le nouveau travail décrit des simulations sophistiquées de ce processus; et propose un mécanisme de lecture des cellules mémoire qui devrait améliorer le contraste entre les états logiques de plusieurs ordres de grandeur, permettant aux cellules d'être connectées dans de grands réseaux. Il montre également que la transition nette entre l'opacité et la transparence de la barrière à effet tunnel résonnant facilite une architecture très compacte avec une densité de bits élevée.

Les travaux en cours sont axés sur la fabricabilité des puces de mémoire de travail, y compris la fabrication de réseaux de dispositifs, développement de la logique de lecture, mise à l'échelle des dispositifs et implémentation sur silicium.