1. Oxydation:

* réaction: Silicon (Si) + oxygène (O2) → Dioxyde de silicium (SiO2)

* Processus: Cette réaction forme une couche protectrice de dioxyde de silicium (SiO2), également connu sous le nom de silice, à la surface de la tranche de silicium. Cette couche agit comme un isolant, empêchant les connexions électriques indésirables et fournissant une surface stable pour un traitement ultérieur.

* Objectif: Crée une couche de barrière pour les étapes suivantes, définit les modèles pour les transistors et aide au dopage.

2. Doping:

* réaction: Silicon (Si) + dopant (par exemple, bore, phosphore, arsenic) → Silicon dopé

* Processus: Ce processus consiste à introduire des impuretés (dopants) dans le réseau cristallin de silicium. Ces impuretés peuvent soit ajouter des électrons supplémentaires (dopage de type N) ou créer des "trous" pour que les électrons se déplacent (dopage de type P).

* Objectif: Les dopants contrôlent la conductivité électrique du silicium, permettant la création de jonctions P-N, qui sont fondamentales pour les transistors et autres dispositifs semi-conducteurs.

Ce ne sont que deux exemples des nombreuses réactions chimiques impliquées dans la fabrication des puces de silicium. Le processus est extrêmement complexe et implique de nombreuses autres réactions comme la gravure, le dépôt et la photolithographie.