Si + 2CuCl2 → SiCl4 + 2Cu
Dans cette réaction, le silicium agit comme un agent réducteur, transférant des électrons aux ions cuivre (Cu2+) du chlorure de cuivre. En conséquence, les ions cuivre sont réduits en cuivre élémentaire (Cu), qui forme une couche solide à la surface du silicium. Simultanément, les atomes de silicium sont oxydés pour former du tétrachlorure de silicium (SiCl4), un liquide volatil.
La réaction globale peut être résumée comme suit :
Le silicium réduit les ions cuivre, formant du cuivre élémentaire et du tétrachlorure de silicium.
Cette réaction est couramment utilisée dans l’industrie des semi-conducteurs pour éliminer les contaminants indésirables en cuivre des tranches de silicium lors de la fabrication de circuits intégrés. La contamination par le cuivre peut nuire aux propriétés électriques des dispositifs en silicium. Il est donc essentiel de l'éliminer avant tout traitement ultérieur.
