Le processus d’ajout d’impuretés à un semi-conducteur est appelé dopage. Le dopage peut modifier les propriétés électriques du semi-conducteur, telles que sa conductivité, en modifiant le nombre d'électrons libres ou de trous dans le matériau.
Il existe deux principaux types de dopage :
dopage de type P et dopage de type N .
Dopage de type P implique d’ajouter au semi-conducteur des atomes avec un électron de valence de moins que les atomes du semi-conducteur. Cela crée une charge positive nette dans le semi-conducteur, ce qui conduit à la formation de trous. Ces trous peuvent se déplacer librement à travers le semi-conducteur, lui permettant ainsi de conduire l’électricité.
Dopage de type N implique d’ajouter au semi-conducteur des atomes avec un électron de valence de plus que les atomes du semi-conducteur. Cela crée une charge négative nette dans le semi-conducteur, ce qui conduit à la formation d'électrons libres. Ces électrons peuvent se déplacer librement à travers le semi-conducteur, lui permettant ainsi de conduire l’électricité.
Lorsqu’un semi-conducteur est dopé avec des impuretés de type n et de type p, il crée une jonction p-n. Les jonctions P-n sont les éléments constitutifs des transistors, utilisés dans une grande variété d’appareils électroniques.
