* Croissance épitaxiale : Cela se produit lorsque les atomes métalliques sont déposés sur un substrat isolant monocristallin présentant la même structure cristalline. Les atomes métalliques adopteront alors la même structure cristalline que le substrat, et l’interface entre le métal et l’isolant sera atomiquement nette.
* Croissance polycristalline : Cela se produit lorsque les atomes métalliques sont déposés sur un substrat isolant polycristallin, c’est-à-dire composé de nombreux petits cristaux d’orientations différentes. Les atomes métalliques formeront alors de petits cristaux avec des orientations différentes, et l’interface entre le métal et l’isolant sera rugueuse.
* Croissance amorphe : Cela se produit lorsque les atomes métalliques sont déposés sur un substrat isolant amorphe, c’est-à-dire qui n’a pas de structure cristalline régulière. Les atomes métalliques formeront alors un arrangement désordonné et l’interface entre le métal et l’isolant sera diffuse.
Le type d’arrangement formé dépend d’un certain nombre de facteurs, notamment des matériaux métalliques et isolants, de la température de dépôt et de la vitesse de dépôt. La croissance épitaxiale se produit généralement à des températures élevées et à de faibles taux de dépôt, tandis que la croissance polycristalline et amorphe se produit généralement à des températures plus basses et à des taux de dépôt plus élevés.
Les atomes métalliques peuvent également s'organiser sur un isolant de manière plus complexe, par exemple en formant des îlots, des amas ou même des nanofils. Les propriétés de l’interface métal-isolant dépendront de la disposition des atomes métalliques et pourront être adaptées en contrôlant les conditions de croissance.
