Récemment, une équipe de recherche dirigée par le professeur SHENG Zhigao du High Magnetic Field Laboratory des Hefei Institutes of Physical Science (HFIPS), avec des collaborateurs de la HFIPS et de l'Université de ShanghaiTech, a inventé un absorbeur térahertz (THz) accordable à large bande basé sur un matériau d'oxyde d'électrons fortement corrélé.

Les absorbeurs THz ont attiré l'attention de nombreux chercheurs avec de vastes perspectives d'application dans le blindage des ondes THz, Imagerie THz, et détection thermique sensible au THz. Par conséquent, les absorbeurs avec non seulement une forte absorption et une bande passante d'absorption à large bande, mais aussi des caractéristiques accordables sont nécessaires.

En introduisant un matériau d'oxyde d'électrons fortement corrélé comme couche fonctionnelle, l'équipe a réalisé les propriétés du spectre THz accordable à large bande dans ce dispositif électronique fortement corrélé via une conception de structure diélectrique multicouche et une méthode de pompe à lumière.

Le matériau électronique fortement corrélé choisi VO 2 était un excellent candidat pour la modulation THz active, que la conductivité, constante diélectrique, ainsi que les propriétés optiques ont obtenu une commutation dramatique pendant la transition isolant-métal à TC =340 K, et cette transition pourrait être ajustée par la température, champ électrique, Et léger.

En utilisant le pompage léger, plus de 74 % de profondeur de modulation d'absorption ont été atteints dans ce dispositif à structure multicouche. Par ailleurs, l'antireflet (la réflexion est proche de zéro) et le déphasage π à large bande des ondes THz de réflexion ont été réalisés à une certaine fluence de pompe.

Cette recherche, après divers tests et analyses, a clarifié l'origine physique de ces modulations multifonctionnelles THz actives.