L'oxyde de gallium est un matériau semi-conducteur à large bande interdite remarquable. Mettre tout simplement, cela signifie qu'il pourrait potentiellement être utilisé pour créer des appareils électroniques pouvant fonctionner dans des conditions extrêmes, par exemple lorsqu'ils sont exposés à une chaleur élevée et à de fortes doses de rayonnement. Mais avant qu'il puisse trouver une utilisation généralisée, nous devons en savoir plus à ce sujet.

« Pour utiliser au mieux ce matériel, nous devons comprendre les défauts au niveau atomique dans sa structure cristalline, " dit Ge Yang, professeur adjoint de génie nucléaire à l'État de Caroline du Nord.

Et c'est exactement ce que Yang et ses collaborateurs ont fait. Dans un article récent, "Etude par cathodoluminescence à basse température du -Ga dopé au Fe 2 O 3 , " Publié dans Matériaux Lettres , les chercheurs ont pu identifier une gamme de défauts qui peuvent être trouvés dans le matériau.

"Une fois que vous savez quels défauts sont présents dans un matériau, vous pouvez comprendre comment ces défauts affectent les propriétés électroniques du matériau - ce sur quoi nous travaillons actuellement, ", dit Yang. "Nous pouvons alors trouver des moyens d'induire ou de réduire ces défauts, selon quelles propriétés sont souhaitables pour une application spécifique. On y travaille aussi."