L'intégration de l'électronique dans les textiles est un domaine de recherche en plein essor qui pourrait bientôt permettre la création de tissus intelligents et d'électronique portable. En rapprochant cette technologie de sa réalisation, Jin-Woo Han et Meyya Meyyappan au Center for Nanotechnology du NASA Ames Research Center à Moffett Field, Californie, ont développé un nouveau tissu à mémoire flexible tissé ensemble à partir de brins imbriqués de fils de cuivre et d'oxyde de cuivre. A chaque jointure, ou cousez le long du tissu, une noisette de platine à l'échelle nanométrique est placée entre les fibres. Cette "structure sandwich" à chaque croisement forme un circuit mémoire résistif. La mémoire résistive a reçu beaucoup d'attention en raison de la simplicité de sa conception.

Comme décrit dans le journal de l'AIP Avances AIP , les fibres d'oxyde de cuivre servent de support de stockage car elles sont capables de passer d'un isolant à un conducteur simplement en appliquant une tension. Les fils de cuivre et les couches de platine servent d'électrodes inférieure et supérieure, respectivement. Cette conception se prête facilement aux textiles car elle forme naturellement une structure à mémoire transversale où les fibres se croisent. Les chercheurs ont développé un système réversible, système de mémoire réinscriptible capable de conserver les informations pendant plus de 100 jours.

Dans cette conception de preuve de concept, les fils de cuivre avaient un millimètre d'épaisseur, bien qu'un fil de plus petit diamètre permettrait une augmentation de la densité de la mémoire et une réduction du poids. Dans les applications pratiques, les e-textiles devraient intégrer une batterie ou un groupe électrogène, capteurs, et un élément de calcul, ainsi qu'une structure de mémoire. Pris ensemble, un e-textile pourrait potentiellement détecter des biomarqueurs pour diverses maladies, surveiller les signes vitaux des personnes âgées ou des individus en milieu hostile, puis transmettre cette information aux médecins.