Le graphène et les matériaux bidimensionnels (2D) associés ont suscité un intérêt et des investissements massifs au cours des dernières années. Cependant, la quantité de dispositifs commerciaux à base de matériaux 2D disponibles sur le marché est encore très faible.

Le groupe de recherche dirigé par le Dr Mario Lanza de l'Université de Soochow (Chine) dirige un effort mondial pour étudier les propriétés des diélectriques en couches. Dans leur récente enquête, publié dans la revue Matériaux 2D , Le professeur Lanza et ses collègues ont synthétisé une mémoire à accès aléatoire résistive (RRAM) en utilisant des structures de van der Waals graphène/nitrure de bore hexagonal/graphène (G/h-BN/G).

Par ailleurs, ils ont développé un modèle compact pour décrire avec précision son fonctionnement. Le modèle est basé sur l'approche non linéaire de Landauer pour les conducteurs mésoscopiques, dans ce cas, filaments de taille atomique formés dans le système de matériaux 2-D. En plus de fournir d'excellents résultats d'ajustement globaux (qui ont été corroborés dans log-log, tracés log-linéaires et linéaires-linéaires), le modèle est capable d'expliquer la dispersion des données obtenues d'un cycle à l'autre en fonction des particularités des chemins filamenteux, principalement leur hauteur de barrière potentielle de confinement.

Le développement de modèles théoriques pour décrire le fonctionnement des dispositifs électroniques est une étape essentielle permettant la simulation dispositifs/systèmes, ce qui est essentiel avant la production en série de l'appareil. L'appareil sélectionné dans ce cas, le périphérique RRAM, est la technologie la plus prometteuse pour le futur stockage d'informations à haute densité.