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    Prédiction théorique du croisement intersystème inverse pour les semi-conducteurs organiques

    Crédit :CC0 Domaine Public

    Une équipe de recherche conjointe du RIKEN et de l'Université d'Hokkaido a développé une méthode pour prédire les constantes de vitesse du croisement intersystème inverse (RISC) associé à l'efficacité d'émission lumineuse des semi-conducteurs organiques utilisés pour les diodes électroluminescentes organiques (OLED) grâce à des calculs de chimie quantique avec des ordinateurs.

    Les matériaux à fluorescence retardée activée thermiquement (TADF) devraient être utilisés pour les matériaux OLED de nouvelle génération. L'un des défis pour l'application pratique des matériaux est le développement de matériaux TADF avec un RISC plus rapide. Notre méthode développée a démontré une prédiction précise des constantes de vitesse RISC pour divers matériaux TADF. Les semi-conducteurs organiques conçus sur la base de cette méthode de prédiction ont présenté une constante de vitesse RISC élevée de 1, 0000, 000 par seconde ou plus. À l'avenir, avec des études d'informatique des matériaux utilisant cette méthode en combinaison avec l'apprentissage automatique, nous serions en mesure d'établir des théories et des principes scientifiques, ce qui conduirait à une amélioration drastique du criblage virtuel efficace et des performances des dispositifs des matériaux OLED.

    La recherche a été menée par Naoya Aizawa et Yong-Jin Pu, chercheurs du RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS), Professeur adjoint Yu Harabuchi et professeur Satoshi Maeda du Département de chimie, Faculté des sciences, Université et Institut de Hokkaido pour la conception et la découverte de réactions chimiques (WPI-ICReDD), Université d'Hokkaido dans le domaine de recherche :informatique avancée des matériaux grâce à une intégration complète parmi les théories, Expérimental, Sciences Informatiques et Data-Centric de la JST le Programme Stratégique de Recherche Fondamentale PRESTO.

    • Figure 1. Matériaux TADF examinés dans cette étude et leurs constantes de taux RISC (kRISC). a Structures moléculaires des matériaux TADF examinés classées par leur kRISC. b Comparaison du kRISC expérimental et théorique. Crédit :Naoya Aizawa

    • Propriétés de synthèse et de photoluminescence des matériaux nouvellement conçus. une, b Routes synthétiques vers Br-ACRXTN (a) et Br-3-PXZ-XO (b). c, d Décroissances de photoluminescence transitoire (c) et spectres de photoluminescence en régime permanent (d) de l'ACRXTN, Br-ACRXTN, 3-PXZ-XO, et Br-3-PXZ-XO dans une matrice hôte à l'état solide. Crédit :Naoya Aizawa




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