Une équipe dirigée par des chercheurs de l'Université de Koç, Turquie et EPFL, La Suisse, a développé une technique monolithique pour fabriquer des nanofils de silicium couvrant des tranchées ultra-profondes dans le silicium.

L'approche ressemble à un extrême, version nanométrique du procédé SCREAM développé au début des années 90 pour la fabrication de MEMS. Cette nouvelle technologie de fabrication repose sur la « sculpture » de nanofils de silicium dans un morceau de cristal de silicium de telle sorte que les nanofils soient entièrement intégrés à d'autres structures de silicium qui sont des milliers de fois plus grosses. La dimension minimale des nanofils est de l'ordre de 20 nm et les nanofils ressemblent à des câbles suspendus suspendus à une distance de 10 microns du fond de la tranchée avec une possibilité d'amélioration supplémentaire de la profondeur de gravure.

La technologie repose sur un équilibre complexe entre deux processus de gravure au plasma différents. Comme le premier processus crée le composant à l'échelle nanométrique, le processus ultérieur est responsable de la gravure de tranchées profondes. Protection du pont miniature, le nanofil, pendant cette morsure profonde et dure est cruciale pour le succès de la technique.

L'aspect attrayant de cette technologie descendante est que les nanofils et les structures microscopiques sont formés simultanément permettant une fabrication sur place sans aucun besoin de transport, manipuler et "coller" les nanofils à l'emplacement souhaité. De cette façon, chaque nanofil de silicium est parfaitement aligné par rapport à l'architecture environnante. D'où, on peut former des millions de tels ponts en parallèle. La technologie ouvre la possibilité de ponter des structures très épaisses avec des canaux très minces. Il devrait trouver des applications notamment dans les capteurs SOI MEMS.