Une forme en développement de mémoire informatique a le potentiel de stocker des informations plus rapidement et à moindre coût, tout en consommant moins d'énergie, que ce qui est utilisé aujourd'hui par l'industrie des semi-conducteurs, Le professeur de physique de la NYU, Andrew Kent, conclut.

Dans une analyse publiée dans la revue Nature Nanotechnologie , Kent et son collègue Daniel Worledge du IBM Watson Research Center discutent d'un nouveau type de mémoire, mémoire magnétique à accès aléatoire à couple de transfert de spin (STT-MRAM).

STT-MRAM s'appuie sur le magnétisme pour stocker des informations, comme celui utilisé dans les disques durs existants. Cependant, contrairement aux disques durs, STT-MRAM est écrit et lu électriquement, c'est-à-dire en appliquant uniquement des courants électriques. Il n'a pas de pièces mobiles comme un disque dur magnétique et peut donc fonctionner beaucoup plus rapidement qu'un disque dur. Plus significativement, STT-MRAM peut fonctionner aussi vite que les mémoires à accès aléatoire à base de semi-conducteurs les plus rapides, et donc être utilisé comme mémoire de travail d'un ordinateur et d'un appareil portable (par exemple, un smartphone), une mémoire à laquelle on accède fréquemment.

Par conséquent, ces dispositifs magnétiques peuvent être utilisés pour améliorer les performances de tels dispositifs, ajouter de la vitesse tout en, à la fois, réduisant considérablement la quantité d'énergie nécessaire.

Kent et Worledge préviennent que plusieurs « défis technologiques doivent être relevés avant que la STT-MRAM puisse être largement adoptée dans les applications les plus avancées » — peut-être le plus important, avancées qui augmentent leur capacité de stockage d'informations.

Cependant, ils constatent que les progrès réalisés au cours de la dernière décennie, grâce aux avancées rapides de la recherche académique et industrielle, offre un grand espoir que cette technologie de mémoire pionnière trouvera sa place dans nos ordinateurs et appareils portables à l'avenir.