Le mot "transistor" est une combinaison des mots "transfert" et "varistance". Le terme décrit le fonctionnement de ces appareils à leurs débuts. Les transistors sont les principaux éléments constitutifs de l'électronique, de la même manière que l'ADN est l'élément constitutif du génome humain. Ils sont classés comme semi-conducteurs et se déclinent en deux types généraux: le transistor à jonction bipolaire (BJT) et le transistor à effet de champ (FET). Le premier est au centre de cette discussion.
Types de transistors de jonction bipolaires

Il existe deux types fondamentaux d'arrangements BJT: NPN et PNP. Ces désignations se réfèrent aux matériaux semi-conducteurs de type P (positif) et de type N (négatif) à partir desquels les composants sont construits. Tous les BJT comprennent donc deux jonctions PN, dans un certain ordre. Un appareil NPN, comme son nom l'indique, a une région P prise en sandwich entre deux régions N. Les deux jonctions dans les diodes peuvent être à polarisation directe ou à polarisation inverse.

Cette disposition se traduit par un total de trois bornes de connexion, chacune étant affectée d'un nom spécifiant sa fonction. Ceux-ci sont appelés l'émetteur (E), la base (B) et le collecteur (C). Avec un transistor NPN, le collecteur est connecté à l'une des N parties, la base à la partie P au milieu et le E à l'autre N partie. Le segment P est légèrement dopé, tandis que le segment N à l'extrémité de l'émetteur est fortement dopé. Il est important de noter que les deux parties N d'un transistor NPN ne peuvent pas être échangées, car leurs géométries sont complètement différentes. Il peut être utile de penser à un appareil NPN comme un sandwich au beurre d'arachide, mais avec l'une des tranches de pain étant un embout et l'autre à partir du pain moyen, ce qui rend l'arrangement quelque peu asymétrique.
Caractéristiques communes des émetteurs

Un transistor NPN peut avoir une configuration de base commune (CB) ou d'émetteur commun (CE), chacune avec ses propres entrées et sorties distinctes. Dans une configuration d'émetteur commune, des tensions d'entrée distinctes sont appliquées à la partie P de la base (V _{BE) et du collecteur (V CE). Une tension V E quitte alors l'émetteur et entre dans le circuit dont le transistor NPN est un composant. Le nom "émetteur commun" est enraciné dans le fait que la partie E du transistor intègre des tensions distinctes de la partie B et que la partie C les émet comme une tension commune.}

Algèbre, les valeurs de courant et de tension dans cette configuration est liée de la manière suivante:

Entrée: I _{B \u003d I 0 (e ^{VBT /V T - 1)}}

Sortie: I _{c \u003d βI B}

Où β est une constante liée aux propriétés intrinsèques des transistors.