Une étude de recherche sur les transistors à faible bruit et hautes performances menée par Suprem Das, professeur assistant en génie des systèmes industriels et de fabrication, en collaboration avec des chercheurs de l'Université Purdue, a été récemment publié par Examen physique appliqué .

L'étude a démontré des transistors à l'échelle micro/nano constitués de matériaux minces atomiques bidimensionnels qui présentent des performances élevées et un faible bruit. Les appareils mesurent moins d'un centième du diamètre d'un seul cheveu humain et pourraient être la clé de l'électronique innovante et de la détection de précision.

De nombreux chercheurs du monde entier concentrent leur attention sur la construction de la prochaine génération de transistors à partir de matériaux 2D « exotiques » à l'échelle atomique tels que le di-séléniure de molybdène. Ces matériaux sont prometteurs car ils présentent une action de transistor haute performance qui peut, à l'avenir, remplacer l'électronique au silicium d'aujourd'hui. Cependant, très peu d'entre eux se penchent sur un autre aspect important :le bruit électronique inhérent à cette nouvelle classe de matériaux. Le bruit électronique est omniprésent dans tous les appareils et circuits et ne s'aggrave que lorsque le matériau devient fin atomique.

Une étude récente menée par l'équipe de recherche de Das a systématiquement montré que si l'on peut contrôler l'épaisseur de couche entre 10 et 15 atomes d'épaisseur dans un transistor, l'appareil affichera non seulement des performances élevées, telles que l'activation de l'interrupteur, mais également un très faible bruit électronique. Cette découverte unique est essentielle à la création de plusieurs technologies habilitantes en électronique et en détection à l'aide d'un certain nombre de matériaux 2D émergents. Cette recherche est un effort complet d'une conclusion précédente, où l'équipe de Das a mené la première étude sur le bruit dans les transistors MoSe2.