Lorsque le graphène est à proximité d'autres atomes ou matériaux, les propriétés électroniques du graphène peuvent être considérablement modifiées. Cela est dû à l’interaction entre la couche de graphène et les atomes ou matériaux voisins, ce qui peut entraîner des modifications dans la structure de la bande électronique et la diffusion des porteurs de charge.
L'un des effets les plus importants de la proximité sur la résistance du graphène est le phénomène de transfert de charge. Lorsque le graphène est en contact avec un métal, par exemple, des porteurs de charge (électrons ou trous) peuvent être transférés du métal au graphène ou vice versa. Ce transfert de charge peut modifier le niveau de Fermi du graphène, ce qui affecte à son tour la résistance électrique.
Un autre facteur important qui influence la résistance du graphène est la présence de défauts ou d'impuretés dans la couche de graphène. Les défauts peuvent agir comme des centres de diffusion pour les porteurs de charge, entraînant une augmentation de la résistance électrique. Le type et la densité des défauts peuvent avoir un impact significatif sur les propriétés électriques du graphène.
La proximité des matériaux diélectriques avec le graphène peut également affecter sa résistance. Les matériaux diélectriques peuvent induire une charge de polarisation dans le graphène, ce qui peut modifier la concentration et la diffusion des porteurs de charge. Cet effet est particulièrement important dans les transistors à effet de champ à base de graphène, où le diélectrique de grille joue un rôle crucial dans le contrôle des propriétés électriques du graphène.
En résumé, la proximité d'autres atomes, matériaux ou défauts peut affecter considérablement la résistance du graphène. Comprendre et contrôler ces effets de proximité est essentiel pour optimiser les performances des appareils électroniques à base de graphène et exploiter tout le potentiel de ce matériau remarquable.
