Dans une revue complète, des chercheurs de l'Université de Soochow, de l'Institut du graphène de Pékin et de Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co., Ltd. ont collaboré pour fournir un aperçu systématique des progrès et des applications potentielles du graphène en tant que couche tampon pour la croissance épitaxiale des nitrures.
Le document rassemble les points de vue du monde universitaire, des instituts de recherche et des professionnels de l'industrie des semi-conducteurs pour proposer des solutions aux problèmes critiques liés à la technologie des semi-conducteurs.
Le graphène, un matériau bidimensionnel connu pour ses propriétés électriques et mécaniques exceptionnelles, a suscité un intérêt considérable en raison de son utilisation prospective dans la croissance de semi-conducteurs au nitrure. Malgré des progrès notables dans la croissance du graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur divers substrats isolants, la production de graphène de haute qualité et l'obtention d'une compatibilité d'interface optimale avec les matériaux nitrurés du groupe III restent des défis majeurs dans le domaine.
L'analyse fournit un examen approfondi des goulots d'étranglement dans les techniques de fabrication du graphène transféré et des dernières avancées en matière de croissance du graphène sans transfert. Il discute également des progrès actuels dans la culture du graphène sans transfert sur différents substrats isolants et de ses applications potentielles en épitaxie au nitrure.
Le document décrit en outre l'avenir prometteur de la technologie de croissance du graphène sans transfert dans le secteur de l'épitaxie des nitrures et identifie les défis à surmonter pour exploiter tout son potentiel. Grâce à une analyse approfondie de la littérature existante, la revue sert de guide technique et d'application pour l'utilisation du graphène dans la croissance épitaxiale des nitrures, encourageant ainsi la poursuite des recherches dans ce domaine.
Cette revue offre non seulement des informations précieuses aux chercheurs et aux praticiens, mais trace également la voie aux futures orientations de recherche et aux innovations technologiques dans le domaine de la croissance épitaxiale des nitrures.
Plus d'informations : Xiang Gao et al, Dépôt chimique en phase vapeur sans transfert de graphène pour l'épitaxie de nitrure :défis, état actuel et perspectives d'avenir, Science China Chemistry (2023). DOI :10.1007/s11426-023-1769-y
Fourni par Science China Press
