Chercheurs de l'Institut de recherche en nanoélectronique de l'Institut national des sciences et technologies industrielles avancées (AIST), en collaboration avec une équipe NIMS, ont développé une nouvelle technique pour contrôler la conductivité électrique du graphène.

Dans la technique développée dans cette recherche, un faisceau d'ions hélium est irradié sur du graphène à l'aide d'un microscope à ions hélium pour introduire artificiellement une faible concentration de défauts cristallins, et il devient possible de moduler le mouvement des électrons et des trous dans le graphène en appliquant une tension à l'électrode de grille.

Bien que ce phénomène de contrôle de conduction par introduction de défauts cristallins ait été prédit théoriquement, il n'y avait pas d'exemples dans lesquels un fonctionnement marche/arrêt à température ambiante a été réalisé expérimentalement. Il est possible d'introduire la technique développée dans ce travail dans le cadre existant de la technologie de production, y compris les plaquettes de grande surface.

Les détails de cette technologie ont été présentés lors de la Conférence internationale 2012 sur les dispositifs et matériaux à semi-conducteurs (SSDM2012) qui s'est tenue à Kyoto, Japon 25-27 septembre, 2012.