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    Des scientifiques développent un nouveau cristal laser infrarouge moyen LuSGG dopé Er3+

    Schéma de principe du laser Er:LuSGG pompé LD. Crédit :ZHAO Xuyao

    Une équipe d'étude a grandi un Er 3 + -cristal de grenat de gallium et de lutétium dopé à forte concentration de dopage. Et c'était la première fois qu'on faisait pousser ce genre de cristal par la méthode Czochralski. L'équipe a également annoncé avoir réalisé un laser de 2,79 μm avec une puissance de crête élevée et une qualité de faisceau élevée.

    Ce travail a été effectué par le groupe de recherche de SUN Dunlu à l'Institut d'optique et de mécanique fine d'Anhui, Instituts de sciences physiques de Hefei.

    En raison de la forte absorption dans le vapoteur, eau et tissus biologiques, les lasers dans l'infrarouge moyen (MIR) dans la bande d'ondes 2,7-3 m ont suscité un intérêt croissant pour une large utilisation. En particulier, ces lasers à bande d'ondes avec une puissance de crête élevée et une qualité de faisceau élevée ont de nombreuses applications importantes en chirurgie, contre-mesures optoélectroniques et oscillation paramétrique optique.

    Le cristal Er:LuSGG possédait de bonnes performances laser sur la base d'un champ cristallin plus large et d'un taux de diffusion des phonons plus faible. Dans le régime CW, le laser Er:LuSGG à pompage final LD ​​973 nm émis à 2795 nm avec une puissance de sortie maximale de 789 mW, correspondant à un rendement optique-optique de 20,2 % et un rendement de pente de 26 %. Le profil du faisceau laser avec le Mx 2 / Mon 2 facteurs de 1,30/1,33 était proche du mode électromagnétique transverse fondamental (TEM00).

    Outre, une source de pompe LD assortie à 966 nm et une structure de cavité optimale devaient encore améliorer les performances du laser Er:LuSGG à pompage final.

    Les résultats montrent que le Er:LuSGG pourrait être un matériau laser MIR prometteur fonctionnant à 2,8 μm.

    (a) Puissance de sortie du laser CW par rapport à la puissance de pompe absorbée et (b) spectre des lasers avec des inserts montrant des profils de faisceau bidimensionnels et tridimensionnels à la puissance de sortie maximale de 789 mW. Crédit :ZHAO Xuyao




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