Fabrication du dispositif à lamelles minces MnBi2Te4. (A) Image optique de quelques flocons représentatifs de MnBi2Te4 clivés sur un film mince d'Al2O3. L'empilement MnBi2Te4/Al2O3 est supporté par un substrat PDMS. L'image a été obtenue en mode de transmission. Barre d'échelle :20 m. (B) Image optique de la même pile MnBi2Te4/Al2O3 transférée sur un substrat SiO2/Si de 285 nm. Des résidus de ruban sont visibles sous le film Al2O3 ; le résidu n'affecte pas la fabrication de l'échantillon et les mesures ultérieures. (C) Image optique d'un appareil fabriqué à partir de l'échantillon montré dans B. Les contacts en métal (Cr/Au) avec l'échantillon ont été évaporés thermiquement à travers un masque de pochoir. (D) Image optique du même appareil après avoir retiré l'excès de flocon de MnBi2Te4 qui court-circuite les électrodes adjacentes avec une pointe acérée. Crédit: Science , doi:10.1126/science.aax8156
La topologie des bandes non triviales peut se combiner avec l'ordre magnétique dans un isolant topologique magnétique pour produire des états exotiques de la matière tels que les isolants Hall anomal quantique (QAH) et les isolants axions. Un objectif de la physique de la matière condensée est de trouver de nouveaux matériaux avec des propriétés utiles et d'appliquer la mécanique quantique pour les étudier. Le domaine a permis aux physiciens de mieux comprendre les utilisations des aimants pour le stockage de données sur disque dur, écrans d'ordinateur et d'autres technologies. La récente découverte d'isolants topologiques a suscité un large intérêt et les chercheurs prédisent que l'interaction entre le ferromagnétisme et l'état de l'isolant topologique peut réaliser une gamme de phénomènes magnétiques quantiques exotiques d'intérêt pour la physique fondamentale et les applications de dispositifs.
Dans un nouveau rapport, Yujun Deng et une équipe de recherche des départements de physique et de physique de la matière quantique en Chine, transport quantique sondé dans un flocon mince MnBi
Les matériaux topologiques contiennent distinctement des états quantiques protégés topologiquement qui sont robustes contre les détresses locales. Par exemple, dans un isolant topologique (TI) tel que le tellurure de bismuth (Bi
Fabrication et caractérisation de dispositifs MnBi2Te4 à quelques couches. (A) Image optique de flocons à quelques couches de MnBi2Te4 clivés sur un film mince d'Al2O3 évaporé thermiquement (épaisseur ~ 70 nm). La pile MnBi2Te4/Al2O3 est supportée sur un substrat PDMS. L'image a été prise en mode transmission. Le nombre de SL est étiqueté sur les flocons sélectionnés. Barre d'échelle :20 m. (B) Transmission en fonction du nombre de SL. La transmittance (cercles pleins) suit la loi de Beer-Lambert (trait plein). (C) Résistance de l'échantillon dépendante de la température de quelques couches de MnBi2Te4. La transition antiferromagnétique se manifeste par un pic de résistance dans les trois, échantillons à quatre et cinq couches (échantillon 3a, 4a et 5a, respectivement; voir tableau S1). En médaillon :structure cristalline en couches de MnBi2Te4 à l'état antiferromagnétique. Les spins des ions Mn2+ s'ordonnent ferromagnétiquement au sein d'une couche, alors que les couches voisines se couplent de manière antiferromagnétique avec une anisotropie magnétocristalline hors du plan. (D) Ryx des mêmes trois-, quatre-, et des échantillons de MnBi2Te4 à cinq couches représentés en C en fonction du champ magnétique externe appliqué perpendiculairement au plan de l'échantillon. Les données ont été obtenues à T =1,6 K. Tous les ensembles de données ont été anti-symétrisés pour éliminer le composant Rxx (23). Le champ magnétique externe retourne les SL ferromagnétiques individuels, une SL à la fois, et finalement polarise complètement tous les SL. Les transitions magnétiques se manifestent par des sauts dans Ryx qui sont marqués par des coches colorées sur les axes horizontaux. Les dessins animés illustrent les états magnétiques à des champs magnétiques représentatifs (marqués par des cercles ouverts). Les SL avec une magnétisation vers le haut (vers le bas) sont affichées en rouge (bleu). Pour la simplicité, une seule des configurations possibles est représentée lorsqu'il y a des dégénérescences; nous ignorons également les domaines magnétiques qui peuvent être présents dans certains des états magnétiques. Crédit: Science , doi:10.1126/science.aax8156
Dans ce travail, Deng et al. transport quantique sondé dans des flocons atomiquement minces de l'isolant topologique magnétique intrinsèque MnBi
L'équipe a commencé avec du MnBi de haute qualité
Effet Hall anormal quantique dans un éclat de MnBi2Te4 à cinq couches. (A et B) Ryx (A) et Rxx (B) dépendant du champ magnétique acquis dans l'échantillon à cinq couches 5b à T =1,4 K. Les données Ryx et Rxx présentées ici sont anti-symétrisées et symétrisées, respectivement, pour supprimer le mélange des deux composants (23). Les balayages de haut en bas du champ magnétique sont affichés en rouge et bleu, respectivement. Ryx atteint 2 0.97 / h e , concomitante avec un Rxx de 2 0,061 / h e à μ0H =0 T. Ces caractéristiques sont une preuve sans ambiguïté de l'effet QAH à champ nul. Le champ magnétique externe polarise individuellement les SL ferromagnétiques, et améliore encore la quantification QAH; Ryx quantifie à 2 0,998 / h e sous des champs magnétiques supérieurs à μ0H ~ 2,5 T. (C) Rxx de l'échantillon 5b en fonction du champ magnétique acquis à différentes températures. Les données sont symétrisées pour supprimer le composant Ryx. (D) Graphique d'Arrhenius de Rxx en fonction de 1/T sous des champs magnétiques représentatifs. Les lignes pleines sont des ajustements de ligne, dont la pente donne le gap énergétique du transport de charge activé thermiquement. (E) Gap énergétique en fonction du champ magnétique extrait de l'ajustement des parcelles d'Arrhenius illustrées dans D. La région ombrée représente la limite d'erreur de l'écart énergétique à partir des ajustements de ligne. Les cercles pleins mettent en évidence les valeurs d'écart représentatives obtenues à partir des raccords indiqués en D. Coches colorées sur les axes horizontaux sur le panneau B, C et E marquent l'emplacement des transitions magnétiques. Toutes les données ont été obtenues sous un biais de backgate de Vg =-200 V. Crédit : Science , doi:10.1126/science.aax8156
Deng et al. observé un effet QAH bien développé à champ magnétique nul dans un MnBi à cinq couches
La bande interdite n'a pas mesuré directement la bande interdite des états de surface dans le cristal, mais caractérisé l'énergie minimale requise pour exciter un électron de la valence à la bande de conduction. Par exemple, une grande différence entre la bande interdite et la bande interdite prédite impliquait divers troubles dans l'échantillon. Par conséquent, il y a beaucoup de place pour augmenter encore l'échelle d'énergie de l'effet QAH en parfait état, MnBi de haute qualité
Effet Hall anormal quantique accordé au gate dans un flocon de MnBi2Te4 à cinq couches. (A) Ryx dépendant du champ magnétique, acquis dans l'échantillon 5b, sous différentes polarisations de grille Vg (par pas de 10 V). Toutes les données ont été obtenues à T =1,6 K. Les courbes sont anti-symétrisées pour éliminer le composant Rxx. Les coches colorées sur l'axe horizontal marquent l'emplacement des transitions magnétiques. (B à D) Rxx et Ryx en fonction de Vg sous trois champs magnétiques représentatifs, 0H =0T, 5 T et 14 T. Un palier supplémentaire de ( ) 2 / 2 R he yx =− émerge à Vg ~ −25 V, accompagné d'un Rxx évanouissant (panneau D). Le même plateau est également visible dans A à μ0H> 10 T lors de balayages de champ sous Vg =−60 V. Cette preuve indique un état de Hall quantifié avec un facteur de remplissage v =−2. Toutes les données ont été obtenues dans le même échantillon 5b, mais les valeurs Vg ne correspondent pas exactement à celles de A en raison de l'hystérésis pendant les balayages de porte. Crédit: Science , doi:10.1126/science.aax8156
Une fois que le champ magnétique externe appliqué a complètement polarisé l'échantillon à cinq couches, la bande interdite diminue avec l'augmentation du champ magnétique. Les états QAH ont progressivement évolué dans la configuration expérimentale, offrant un aperçu de la structure électronique des bandes de surface en dehors de la bande interdite. Deng et al. compris tous les états observés dans l'étude d'un point de vue unifié. Les mesures de Hall près du champ magnétique nul donnent une efficacité de grille de 5 x 10
dix
cm
-2
/V, ce qui correspond bien à l'efficacité estimée à partir de la géométrie du dispositif. Depuis MnBi
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