Les transistors sont fabriqués à partir de semi-conducteurs tels que le silicium ou le germanium. Ils sont construits avec trois terminaux ou plus. Ils peuvent être considérés comme des vannes électroniques car un petit signal envoyé par un terminal intermédiaire contrôle le flux de courant à travers les autres. Ils fonctionnent principalement comme des commutateurs et des amplificateurs. Les transistors bipolaires sont les plus populaires. Ils ont trois couches avec un plomb attaché à chacun. La couche centrale est la base et les deux autres sont l'émetteur et le collecteur.
Les informations techniques sur les transistors peuvent être trouvées sur leurs emballages, sur les fiches techniques du fabricant et dans certains manuels ou manuels électroniques. Ils contiennent des informations sur les caractéristiques et le fonctionnement du transistor. Les plus significatifs incluent le gain, la dissipation et les valeurs maximales.

Trouvez la description généralisée du transistor, qui contient des informations sur la façon dont le transistor peut être utilisé dans un circuit. Sa fonction sera décrite comme celle de l'amplification, de la commutation ou des deux.

Respectez la dissipation de l'appareil. Ce paramètre indique la puissance que le transistor peut gérer en toute sécurité sans être endommagé. Les transistors sont généralement décrits comme puissance ou petit signal, dépendant de la valeur de cette note. Les transistors de puissance peuvent typiquement dissiper un watt ou plus de puissance, alors que les petits signaux dissipent moins d'un watt. La dissipation maximale pour un 2N3904 est de 350 mW (milliwatts), donc il est classé comme petit signal.

Etudiez le paramètre de gain actuel Hfe. Il est défini comme un gain car un petit signal à la base produit un signal beaucoup plus important au niveau du collecteur. Hfe a des valeurs minimum et maximum, bien que les deux ne soient pas listés. Le 2N3904 a un Hfe minimum de 100. A titre d'exemple de son utilisation, considérons la formule actuelle du collecteur Icollector = Hfe_Ibase. Si le courant de base Ibase est de 2 mA, la formule indique qu'il y a un minimum de 100_2 mA = 200 mA (milliampères) sur le collecteur. Hfe peut également être appelé Beta (dc).

Examinez les paramètres pour les tensions de claquage maximales. La tension de claquage est l'endroit où le transistor cessera de fonctionner ou sera détruit s'il reçoit une tension d'entrée de cette valeur. Il est recommandé que les transistors ne soient pas autorisés à fonctionner à proximité de ces valeurs, de peur que leur durée de vie ne soit raccourcie. Vcb est la tension entre le collecteur et la base. Vceo est la tension entre le collecteur et l'émetteur avec la base ouverte, et Veb est la tension de l'émetteur à la base. La tension de claquage Vcb du 2N3904 est de 60 V. Les valeurs restantes sont de 40 V pour Vceo et de 6 V pour Veb. Ce sont des quantités qui devraient être évitées en fonctionnement réel.

Passez en revue les valeurs nominales maximales. Ic est le courant maximum que le collecteur peut supporter, et pour le 2N3904, il est indiqué comme 200 mA. Observez que ces valeurs supposent une température idéale spécifiée ou supposée comme température ambiante. Cela ne doit généralement pas dépasser 25 degrés Celsius.

Résumez les données. Pour certains transistors 2N3904 à température ambiante avec un courant de collecteur inférieur à 200 mA, et où la puissance nominale n'est pas dépassée, leur gain sera aussi faible que 100 ou aussi élevé que 300. La plupart des transistors 2N3904, cependant, auront un gain de 200.

Astuce

La fiche technique des transistors PNP aura des caractéristiques similaires à celles des transistors NPN.