Les semi-conducteurs sont des matériaux capables de conduire l'électricité dans certaines conditions. La conductivité d'un semi-conducteur peut être affectée par la contrainte, qui est une force qui provoque l'étirement ou la compression d'un matériau. Par exemple, lorsqu’une plaquette de silicium est étirée, sa conductivité augmente.
Cet effet est important pour les dispositifs semi-conducteurs car il peut être utilisé pour contrôler le flux d’électricité. En appliquant une contrainte à un semi-conducteur, il est possible de créer des canaux de haute conductivité pouvant transporter des signaux électriques.
La nouvelle méthode SIPL utilise la lumière pour mesurer la déformation dans un semi-conducteur. Lorsque la lumière est projetée sur un semi-conducteur, elle peut exciter des électrons et les amener à émettre des photons. L'énergie des photons émis dépend de la contrainte dans le semi-conducteur. En mesurant l’énergie des photons, il est possible de déterminer l’ampleur de la déformation.
La méthode SIPL est très sensible et peut mesurer la déformation jusqu'à de très petits niveaux. Cela permet d’étudier les effets des contraintes sur les dispositifs semi-conducteurs à un niveau très détaillé. Cela pourrait conduire à des améliorations des performances de ces appareils.
La nouvelle méthode SIPL pourrait également être utilisée pour étudier d’autres matériaux. Par exemple, SIPL pourrait être utilisé pour étudier comment la contrainte affecte les propriétés des métaux et des céramiques. Cela pourrait conduire à de nouvelles connaissances sur les propriétés mécaniques des matériaux.
Le développement de la nouvelle méthode SIPL constitue une avancée significative dans le domaine de la recherche sur les semi-conducteurs. Cette méthode a le potentiel de conduire à des améliorations des performances des dispositifs semi-conducteurs et à de nouvelles connaissances sur les propriétés des matériaux.
