Les nanofils sans défaut avec des diamètres de l'ordre de 100 nanomètres (nm) sont très prometteurs pour de nombreuses applications en demande, y compris les transistors imprimables pour l'électronique flexible, diodes électroluminescentes à haut rendement, capteurs de masse à résonateur, et intégré, pointes optoélectroniques en champ proche pour la microscopie à pointe de balayage avancée.

Cette promesse ne peut être réalisée, cependant, à moins que les fils puissent être fabriqués dans de grands réseaux uniformes en utilisant des méthodes compatibles avec une fabrication en grand volume. À ce jour, cela n'a pas été possible pour les espacements arbitraires dans la croissance sous ultra-vide.

Aujourd'hui, le groupe de fabrication optoélectronique du PML du NIST a réalisé une percée :la synthèse reproductible de nanofils de nitrure de gallium avec une taille et un emplacement contrôlés sur des substrats de silicium.

Le résultat a été obtenu en améliorant les processus de croissance de fil sélectifs pour produire un nanofil de diamètre contrôlé par ouverture de grille de masque sur une plage de diamètres de 100 nm à 200 nm. Des matrices ordonnées avec une variété d'espacements ont été fabriquées.

À court terme, la recherche sera utilisée pour créer des réseaux de sondes à l'échelle d'une plaquette pour les appareils qui examinent les propriétés de surface et près de la surface des matériaux, pour optimiser les LED nanofils, et produire des nanofils à diamètre contrôlé pour un projet collaboratif impliquant des transistors imprimables pour des antennes reconfigurables en ondes millimétriques.