(Phys.org) -- Graphène, une couche de carbone graphitique d'une épaisseur d'un atome, a attiré beaucoup d'attention pour son utilisation potentielle en tant que transistor qui pourrait rendre les appareils électroniques grand public plus rapides et plus petits.

Mais les propriétés uniques du matériau, et la diminution de l'échelle de l'électronique, rendent également le graphène difficile à fabriquer à grande échelle. La production de graphène haute performance à l'aide de techniques de fabrication conventionnelles entraîne souvent des dommages à la forme et aux performances du réseau de graphène, entraînant des problèmes qui incluent la capacité parasite et la résistance série.

Maintenant, chercheurs du California NanoSystems Institute de l'UCLA, le département de chimie et biochimie de l'UCLA, et le département de science et d'ingénierie des matériaux de l'École d'ingénierie et de sciences appliquées de l'UCLA Henry Samueli ont développé un succès, méthode évolutive pour fabriquer des transistors en graphène auto-alignés avec des empilements de grilles transférés.

En effectuant la lithographie conventionnelle, étapes de dépôt et de gravure sur un substrat sacrificiel avant intégration avec du graphène de grande surface par un procédé de transfert physique, la nouvelle approche aborde et surmonte les défis de la fabrication conventionnelle. Avec un processus de transfert sans dommage et une structure de dispositif auto-alignée, cette méthode a permis aux transistors de graphène auto-alignés avec la fréquence de coupure la plus élevée à ce jour - supérieure à 400 GHz.

La recherche démontre un unique, voie évolutive vers le haut débit, transistors au graphène auto-alignés et est très prometteur pour l'application future de dispositifs à base de graphène dans les circuits ultra-haute fréquence.

La recherche a été publiée dans le numéro du 2 juillet de Actes de l'Académie nationale des sciences et est disponible en ligne.